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黃如，女，1969年11月生于江蘇南京，籍貫福建南安。1991年和1994年畢業(yè)于東南大學，獲本科和碩士學位，1997年畢業(yè)于北京大學，獲博士學位?，F(xiàn)為北京大學教授。2015年當選為中國科學院信息技術(shù)科學部院士，2016年當選為美國電氣和電子工程師協(xié)會會士（IEEE Fellow），2019年當選為發(fā)展中國家科學院院士。

長期從事集成電路科學與工程研究，在新型低功耗邏輯與存儲器件、神經(jīng)形態(tài)器件及類腦計算、邊緣智能計算芯片、可靠性及EDA等共性技術(shù)方面取得系統(tǒng)創(chuàng)新成果。具體包括：面向不同電路系統(tǒng)要求和不同集成電路技術(shù)代，提出并研制了準SOI新結(jié)構(gòu)器件、BOI FinFET新結(jié)構(gòu)器件、肖特基-隧穿混合控制新機理器件以及邏輯-存儲可融合兼容的新型器件；提出了可大規(guī)模集成的圍柵（GAA）納米線器件新工藝方法，系統(tǒng)揭示了器件關(guān)鍵特性的新變化及其物理根源；提出并研制了離子柵控型時敏突觸、非線性調(diào)制脈沖神經(jīng)元等新原理神經(jīng)形態(tài)器件，構(gòu)建了基于憶阻器的暫態(tài)混沌優(yōu)化器、深度儲備池與高效準確的不確定性量化系統(tǒng)；提出了異步事件驅(qū)動型芯片架構(gòu)及電路、動態(tài)電荷域模擬信號鏈架構(gòu)及電路、異步脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片架構(gòu)及電路，顯著提高了數(shù)據(jù)感知與計算能效；建立了納米尺度器件特性表征體系，提出了新的漲落性/可靠性分析表征方法、模型與EDA仿真方法，實現(xiàn)了納米尺度可靠性設(shè)計的關(guān)鍵解決方案。連續(xù)被列入多個版本的國際半導體技術(shù)發(fā)展路線圖ITRS，在國際上產(chǎn)生重要影響，相關(guān)成果轉(zhuǎn)移到國內(nèi)外知名IC制造、設(shè)計和EDA公司。迄今在領(lǐng)域標志性會議IEDM、VLSI和標志性期刊EDL、TED上發(fā)表100余篇論文（從2007年至今連續(xù)15年在IEDM上發(fā)表論文46篇），2篇ISSCC論文被遴選為大會Highlight亮點論文，1項成果榮獲ISSCC最佳展示獎；應(yīng)邀做國際會議大會和特邀報告50余次；獲300余項授權(quán)發(fā)明專利（其中授權(quán)美國專利49項）。 曾獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎、國家科技進步二等獎、教育部自然科學一等獎、教育部科技進步一等獎、北京市科學技術(shù)一等獎（2次）、中國青年科技獎、中國青年女科學家獎等多項國家和省部級獎勵。擔任國家基金委創(chuàng)新研究群體學術(shù)帶頭人，2008年年度教育部長江特聘教授、2006年獲國家自然科學基金委“杰出青年科學基金”資助、2009年度國家百千萬人才工程國家級人選等。

擔任《中國科學：信息科學》副主編，《國家科學評論》評審組長(Section Editor)；國務(wù)院學位委員會學科評議組召集人；第八屆教育部科技委副主任委員，中國儀器儀表學會副理事長，中國半導體行業(yè)協(xié)會戰(zhàn)略咨詢委員會副主任；科技部基礎(chǔ)研究戰(zhàn)略咨詢委員會委員，國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展咨詢委員會委員以及科技部重點研發(fā)計劃專家組專家等，曾任IEEE EDS副主席（VP）、IEEE EDS Elected BOG委員；迄今任國際會議主席20余次、國際會議TPC委員數(shù)十次。