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秦國剛，北京大學物理學院教授。1934年3月生于南京，原籍江蘇昆山。1956年7月畢業(yè)于北京大學物理系，1961年2月研究生畢業(yè)于該系（固體物理方向）。長期從事半導體材料物理研究。

他和他帶領(lǐng)的研究組在半導體雜質(zhì)與缺陷和多孔硅與納米硅鑲嵌氧化硅發(fā)光領(lǐng)域做出系統(tǒng)的和創(chuàng)造性的成果，例如：在中子輻照含氫硅中檢測到結(jié)構(gòu)中含氫缺陷在導帶以下0.20eV深能級，在國際上最早揭示硅中存在含氫深中心，提出的微觀結(jié)構(gòu)，被實驗證實；發(fā)現(xiàn)退火消失溫度原本不同的各輻照缺陷在含氫硅中變得基本相同；最早揭示氫能顯著影響肖特基勢壘高度。測定的硅中銅的深能級參數(shù)被國際權(quán)威性半導體數(shù)據(jù)專著采用。1993年對多孔硅與納米硅鑲嵌氧化硅光致發(fā)光提出量子限制－發(fā)光中心模型，成功解釋大量實驗，得到廣泛支持；首次觀察到p-Si襯底上氧化硅發(fā)光中心的電致發(fā)光現(xiàn)象。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計并研制出一系列硅基電致發(fā)光新結(jié)構(gòu)，如：半透明金膜/納米(SiO2/Si/SiO2)雙壘單阱/p-Si等。發(fā)光波長從近紅外延伸到近紫外。所提出的電致發(fā)光機制模型，被廣泛引用。

獲國家教委（教育部）科技進步一等獎和二等獎各一次，中科院自然科學獎二等獎一次；獲物理學會2000-2001年度葉企孫獎。在國內(nèi)外重要期刊上發(fā)表論文180余篇，其中SCI論文130余篇。