王陽元，1935年1月生，浙江寧波人。微納電子學(xué)戰(zhàn)略科學(xué)家、教育家，中國科學(xué)院院士，北京大學(xué)教授。1958 年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系，同年留校任教。至今已培養(yǎng)碩士、博士和博士后研究人員余百名。1978 年獲全國科學(xué)大會(huì)獎(jiǎng)，1991 年獲國家教委科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，2007 年獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)，2008 年獲國家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)等 19 項(xiàng)國家級(jí)和部委級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)。曾任北京大學(xué)微電子學(xué)研究院院長、微電子學(xué)系主任，全國 ICCAD 專家委員會(huì)主任、ICCAT 專家委員會(huì)主任和全國集成電路產(chǎn)品開發(fā)專家委員會(huì)主任，中芯國際集成電路制造有限公司董事長，中國電子學(xué)會(huì)副理事長。現(xiàn)任北京大學(xué)集成電路學(xué)院名譽(yù)院長，北京集成電路學(xué)會(huì)名譽(yù)會(huì)長，IEEE Life Fellow 和 IEE Fellow 等。
王陽元長期從事微電子學(xué)新器件、新工藝和新結(jié)構(gòu)電路的研究。已發(fā)表科研論文 300 余篇，出版著作 14 部，取得發(fā)明專利授權(quán) 130 余項(xiàng)，擁有 20 項(xiàng)重大科技成果。王陽元主持研究成功我國第一塊 1024 位 MOS DRAM，并在此基礎(chǔ)上系統(tǒng)開展了多晶硅薄膜物理和 MOS 絕緣層物理的研究，推動(dòng) MOS 集成電路技術(shù)的發(fā)展；主持建設(shè)了我國第一個(gè)國家級(jí)微米 / 納米加工技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，為我國 MEMS 技術(shù)發(fā)展作出了重要貢獻(xiàn)；領(lǐng)導(dǎo)研制成功了我國第一個(gè)大型集成化的 ICCAD 系統(tǒng)，為我國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展打下了重要技術(shù)基礎(chǔ)；與海外同行創(chuàng)建了中芯國際集成電路制造有限公司，成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中新的里程碑；領(lǐng)導(dǎo)建設(shè)成功了我國第一條 12 英寸納米級(jí)集成電路生產(chǎn)線，使我國集成電路大生產(chǎn)技術(shù)水平處于國際水平。為我國集成電路科技與產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出了卓越的貢獻(xiàn)。
更新時(shí)間：2025年3月
